FCB20N60
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 030 руб.
от 2 шт. —
2 840 руб.
от 5 шт. —
2 710 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 030 руб.
Плати частями
от 759 руб. × 4 платежа
от 759 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation P
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.15Ом |
| Power Dissipation | 208Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 406 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
