FDPF045N10A

Фото 1/4 FDPF045N10A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 140 руб.
от 2 шт.1 010 руб.
от 5 шт.913 руб.
от 8 шт.872.50 руб.
1 шт. на сумму 1 140 руб.
Плати частями
от 285 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8003343887

Описание

Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R - Rail/Tube (Alt: FDPF045N10A)

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 67A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5270pF @ 50V
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Packaging Tube
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 43W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 67A, 10V
Series PowerTrenchВ®
Supplier Device Package TO-220F
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0037Ом
Power Dissipation 43Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции PowerTrench
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 67А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 43Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0037Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220FP
Brand: onsemi/Fairchild
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 50
Id - Continuous Drain Current: 67 A
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 43 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 74 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 4.5 mOhms
Series: FDPF045N10A
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: PowerTrench
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Channel Mode Enhancement
Maximum Continuous Drain Current 67 A
Maximum Drain Source Resistance 4.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 43 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220F
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 57 nC @ 10 V
Width 4.9mm
Вес, г 5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 525 КБ
Datasheet
pdf, 416 КБ
Datasheet FDPF045N10A
pdf, 527 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов