FDPF045N10A
![Фото 1/4 FDPF045N10A](https://static.chipdip.ru/lib/094/DOC010094698.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/478/DOC021478579.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/625/DOC010625692.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/478/DOC021478587.jpg)
1 140 руб.
от 2 шт. —
1 010 руб.
от 5 шт. —
913 руб.
от 8 шт. —
872.50 руб.
1 шт.
на сумму 1 140 руб.
Плати частями
от 285 руб. × 4 платежа
от 285 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R - Rail/Tube (Alt: FDPF045N10A)
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 67A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5270pF @ 50V |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 43W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 67A, 10V |
Series | PowerTrenchВ® |
Supplier Device Package | TO-220F |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0037Ом |
Power Dissipation | 43Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PowerTrench |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 67А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 43Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0037Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
Id - Continuous Drain Current: | 67 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 43 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 74 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 mOhms |
Series: | FDPF045N10A |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | PowerTrench |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 67 A |
Maximum Drain Source Resistance | 4.5 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 43 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220F |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
Width | 4.9mm |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 525 КБ
Datasheet
pdf, 416 КБ
Datasheet FDPF045N10A
pdf, 527 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов