MMBT5089, 25V 200mW 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

MMBT5089, 25V 200mW 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
105700 шт., срок 6-8 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.3 руб.
от 3000 шт.2.30 руб.
от 6000 шт.1.96 руб.
100 шт. на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003371769
Артикул: MMBT5089
Бренд: Shikues

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand ON Semiconductor/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO 30 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 25 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 400
DC Current Gain HFE Max 1200
Emitter- Base Voltage VEBO 4.5 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product FT 50 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation 350 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series MMBT5089
Subcategory Transistors
Technology Si
Transistor Polarity NPN
кол-во в упаковке 20
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 208 КБ
Datasheet MMBT5089
pdf, 352 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.