MMBT5089, 25V 200mW 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
![MMBT5089, 25V 200mW 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/792/DOC012792584.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
105700 шт., срок 6-8 недель
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
3 руб.
от 3000 шт. —
2.30 руб.
от 6000 шт. —
1.96 руб.
100 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
Collector- Base Voltage VCBO | 30 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 25 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 0.1 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 400 |
DC Current Gain HFE Max | 1200 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 4.5 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product FT | 50 MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 0.1 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 350 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | MMBT5089 |
Subcategory | Transistors |
Technology | Si |
Transistor Polarity | NPN |
кол-во в упаковке | 20 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 208 КБ
Datasheet MMBT5089
pdf, 352 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.