MMBT3904_R1_000Z8, 40V 225mW 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

9250 шт., срок 6-8 недель
4 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт.3 руб.
от 3000 шт.2.60 руб.
от 6000 шт.2.31 руб.
50 шт. на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003373490
Артикул: MMBT3904_R1_000Z8

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
40V 225mW 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 40V
Manufacturer PANJIT International
Maximum DC Collector Current 200mA
Package / Case SOT-23(SOT-23-3)
Packaging Tape & Reel(TR)
Pd - Power Dissipation 225mW
Transistor Type NPN
Collector Current (Ic) 200mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) -
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 40V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@50mA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@10mA, 1V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 225mW
Transition Frequency (fT) -
Вес, г 1

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.