MMBTRC109SS, TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
1900 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
50 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | - |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | - |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | - |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Transistor Type | - |
| Transition Frequency (fT) | - |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMBTRC109SS
pdf, 149 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
