IKW75N60T, TO-247AC-3 IGBTs ROHS

Фото 1/6 IKW75N60T, TO-247AC-3 IGBTs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 160 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.860 руб.
от 150 шт.759 руб.
от 500 шт.716.66 руб.
5 шт. на сумму 5 800 руб.
Плати частями
от 1 450 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003388500
Артикул: IKW75N60T

Описание

Описание Стандартная цифровая микросхема Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 80 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 428 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-247
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Channel Type N
Collector Current (DC) 80(A)
Collector-Emitter Voltage 600(V)
Configuration Single
Gate to Emitter Voltage (Max) '±20(V)
Mounting Through Hole
Operating Temperature (Max) 175C
Operating Temperature (Min) -40C
Operating Temperature Classification Automotive
Packaging Rail/Tube
Rad Hardened No
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Current - Collector Pulsed (Icm) 225A
Gate Charge 470nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Manufacturer Infineon Technologies
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 428W
Reverse Recovery Time (trr) 121ns
Series TrenchStopВ®
Supplier Device Package PG-TO247-3
Switching Energy 4.5mJ
Td (on/off) @ 25В°C 33ns/330ns
Test Condition 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW75N60TFKSA1
pdf, 853 КБ
Документация
pdf, 562 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов