IKW75N60T, TO-247AC-3 IGBTs ROHS
![Фото 1/6 IKW75N60T, TO-247AC-3 IGBTs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758129.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC002921185.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/880/DOC043880027.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC029975070.jpg)
1 160 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
860 руб.
от 150 шт. —
759 руб.
от 500 шт. —
716.66 руб.
5 шт.
на сумму 5 800 руб.
Плати частями
от 1 450 руб. × 4 платежа
от 1 450 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Стандартная цифровая микросхема Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 428 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Channel Type | N |
Collector Current (DC) | 80(A) |
Collector-Emitter Voltage | 600(V) |
Configuration | Single |
Gate to Emitter Voltage (Max) | '±20(V) |
Mounting | Through Hole |
Operating Temperature (Max) | 175C |
Operating Temperature (Min) | -40C |
Operating Temperature Classification | Automotive |
Packaging | Rail/Tube |
Rad Hardened | No |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
Gate Charge | 470nC |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-247-3 |
Part Status | Active |
Power - Max | 428W |
Reverse Recovery Time (trr) | 121ns |
Series | TrenchStopВ® |
Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
Switching Energy | 4.5mJ |
Td (on/off) @ 25В°C | 33ns/330ns |
Test Condition | 400V, 75A, 5Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW75N60TFKSA1
pdf, 853 КБ
Документация
pdf, 562 КБ
Datasheet IKW75N60T (Infineon)
pdf, 858 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов