NCE60P10K, 60V 10A 106m ё@10V,10A 45W 2.5V@250uA P Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
17665 шт., срок 6-8 недель
47 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
40 руб.
от 150 шт. —
37 руб.
от 500 шт. —
31.41 руб.
5 шт.
на сумму 235 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
60V 10A 106mΩ@10V,10A 45W 2.5V@250uA P Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 106mΩ@10V, 10A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 930pF@30V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 45W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 35pF@30V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25nC@10V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.29 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 424 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
