NCE40H12K, 40V 120A 120W 4m@10V,20A 2.5V@250uA N Channel TO-252-2DPAK MOSFETs ROHS
![NCE40H12K, 40V 120A 120W 4m@10V,20A 2.5V@250uA N Channel TO-252-2DPAK MOSFETs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757655.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4525 шт., срок 6-8 недель
65 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
53 руб.
от 150 шт. —
48 руб.
от 500 шт. —
40.46 руб.
5 шт.
на сумму 325 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
40V 120A 120W 4mΩ@10V,20A 2.5V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 120A(Tc) |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 120W(Tc) |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4mΩ 20A, 10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V 250uA |
Continuous Drain Current (Id) | 120A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V, 20A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 120W |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.32 |
Техническая документация
Datasheet NCE40H12K
pdf, 458 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.