NCE40H12K, 40V 120A 120W 4m@10V,20A 2.5V@250uA N Channel TO-252-2DPAK MOSFETs ROHS

NCE40H12K, 40V 120A 120W 4m@10V,20A 2.5V@250uA N Channel TO-252-2DPAK MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4525 шт., срок 6-8 недель
65 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.53 руб.
от 150 шт.48 руб.
от 500 шт.40.46 руб.
5 шт. на сумму 325 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8003401638
Артикул: NCE40H12K

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
40V 120A 120W 4mΩ@10V,20A 2.5V@250uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 120A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 120W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 4mΩ 20A, 10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.5V 250uA
Continuous Drain Current (Id) 120A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 4mΩ@10V, 20A
Drain Source Voltage (Vdss) 40V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA
Power Dissipation (Pd) 120W
Type N Channel
Вес, г 0.32

Техническая документация

Datasheet NCE40H12K
pdf, 458 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.