MMBTRC104SS, 80@10mA,5V 200mW 1 NPN - Pre Biased TO-236-3 Digital Transistors ROHS
1600 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
50 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
80@10mA,5V 1 NPN - Pre Biased 200mW TO-236-3 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 674 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
