IKW50N60T, IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN

Фото 1/2 IKW50N60T, IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
800 руб.
1 шт. на сумму 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8003424700
Артикул: IKW50N60T

Описание

Описание Транзистор БТИЗ IKW50N60T от производителя INFINEON представляет собой мощный IGBT компонент, выполненный в корпусе PG-TO247-3 для монтажа типа THT. Он способен выдерживать ток коллектора до 80А и напряжение коллектор-эмиттер до 600В, обладая при этом мощностью в 333Вт. Эта характеристика делает его идеальным выбором для широкого спектра областей применения, где требуется высокая надежность и эффективность. Код товара IKW50N60T подчеркивает его уникальность и гарантирует соответствие высоким стандартам качества INFINEON. Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT
Монтаж THT
Ток коллектора, А 80
Напряжение коллектор-эмиттер, В 600
Мощность, Вт 333
Корпус PG-TO247-3

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 80 A
Continuous Collector Current Ic Max: 80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 240
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Part # Aliases: IKW5N6TXK SP000054888 IKW50N60TFKSA1
Pd - Power Dissipation: 333 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: Trenchstop IGBT3
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Tradename: TRENCHSTOP
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 593 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов