NCE30P30K, 30V 30A 18m ё@10V,20A 60W 2.5V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS

NCE30P30K, 30V 30A 18m ё@10V,20A 60W 2.5V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6660 шт., срок 6-8 недель
50 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.41 руб.
от 150 шт.37 руб.
от 500 шт.31.72 руб.
5 шт. на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003425725
Артикул: NCE30P30K

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 30A
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 60W
Rds On - Drain-Source Resistance 18mΩ 20A, 10V
Transistor Polarity P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.5V 250uA
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet NCE30P30K
pdf, 421 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.