NCE30P30K, 30V 30A 18m ё@10V,20A 60W 2.5V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
![NCE30P30K, 30V 30A 18m ё@10V,20A 60W 2.5V@250uA P Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6660 шт., срок 6-8 недель
50 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
41 руб.
от 150 шт. —
37 руб.
от 500 шт. —
31.72 руб.
5 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 30A |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 60W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 18mΩ 20A, 10V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V 250uA |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet NCE30P30K
pdf, 421 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.