2SC2222H, 40V 1.1W 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
595 шт., срок 6-8 недель
21 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
17 руб.
от 150 шт. —
15 руб.
10 шт.
на сумму 210 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
40V 1.1W 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.1W |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2SC2222H
pdf, 452 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
