MMDT3904_R1_00001, 40V 225mW 100@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS

MMDT3904_R1_00001, 40V 225mW 100@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5200 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт.6 руб.
от 500 шт.5.10 руб.
от 3000 шт.4.46 руб.
50 шт. на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8003435976
Артикул: MMDT3904_R1_00001

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Collector-Emitter Breakdown Voltage 40V
Manufacturer PANJIT International
Maximum DC Collector Current 200mA
Package / Case SOT-363
Packaging Tape & Reel(TR)
Pd - Power Dissipation 225mW
Transistor Type 2 NPN(Double)
Brand: Panjit
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Configuration: Dual
Continuous Collector Current: 200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100 at 10 mA, 1 V
DC Current Gain hFE Max: 300 at 10 mA, 1 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Panjit
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-363-6
Pd - Power Dissipation: 225 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: DT-03TSN
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 164 КБ
Datasheet
pdf, 200 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.