DTC124TMT2L, 100@1mA,5V 1 NPN - Pre Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-723-3 Digital Transistors ROHS

Фото 1/2 DTC124TMT2L, 100@1mA,5V 1 NPN - Pre Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-723-3 Digital Transistors ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4500 шт., срок 6-8 недель
9 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт.8 руб.
от 500 шт.6.40 руб.
от 2500 шт.5.71 руб.
50 шт. на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003448937
Артикул: DTC124TMT2L
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS DIGI BJT NPN 50V 100MA 3PIN

Технические параметры

Brand ROHM Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 100 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min 100
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 8000
Manufacturer ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature +150 C
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases DTC124TM
Pd - Power Dissipation 150 mW
Product Category Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series DTC124TM
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Typical Input Resistor 22 kOhms
Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № DTC124TM
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 8000
Серия DTC124TM
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 22 kOhms
Торговая марка ROHM Semiconductor
Collector Current (Ic) 100mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 500nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 300mV@500uA, 5mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 100@1mA, 5V
Power Dissipation (Pd) 150mW
Transistor Type 1 NPN-Pre Biased
Transition Frequency (fT) 250MHz

Техническая документация

Datasheet DTC124TMT2L
pdf, 1170 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.