IKW30N60H3, TO-247-3 IGBTs ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

350 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 260 руб.

от 150 шт. — 219 руб.

от 500 шт. — 203.92 руб.

5 шт. на сумму 1 750 руб.

Плати частями
от 439 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8003450753

Артикул: IKW30N60H3

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.

Collector Emitter Saturation Voltage	2.4В
Collector Emitter Voltage Max	600В
Continuous Collector Current	30А
Power Dissipation	187Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175 C
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Channel Type	N
Energy Rating	1.72mJ
Gate Capacitance	1630pF
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	60 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	187 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Collector Current (DC)	60(A)
Collector-Emitter Voltage	600(V)
Configuration	Single
Gate to Emitter Voltage (Max)	±20(V)
Mounting	Through Hole
Operating Temperature (Max)	150C
Operating Temperature (Min)	-55C
Operating Temperature Classification	Military
Packaging	Rail/Tube
Rad Hardened	No
DC Collector Current	30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
Вес, г	1