AP2301, 20V 3A 57m ё@4.5V,3A 1W 700mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
![AP2301, 20V 3A 57m ё@4.5V,3A 1W 700mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
104950 шт., срок 6-8 недель
10 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
8 руб.
от 2500 шт. —
6.40 руб.
от 3000 шт. —
6.20 руб.
50 шт.
на сумму 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3A |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1W |
Rds On - Drain-Source Resistance | 110mО© @ 3A,4.5V |
Transistor Polarity | P Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA |
Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet AP2301
pdf, 1595 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.