MMBT5087, 50V 350mW 100mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
6000 шт., срок 6-8 недель
4 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 2500 шт. —
2.70 руб.
от 3000 шт. —
2.32 руб.
50 шт.
на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
50V 350mW 100mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Transistor Type | PNP |
| Collector Current (Ic) | 50mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA, 1mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 250@100uA, 5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transition Frequency (fT) | 40MHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMBT5087
pdf, 303 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
