MMBT3904W_R1_00001, 40V 150mW 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
50 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Maximum DC Collector Current | 200mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Transistor Type | NPN |
| Brand: | Panjit |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 200 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 at 10 mA, 1 V |
| DC Current Gain hFE Max: | 300 at 10 mA, 1 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | GPT-02TAN |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 239 КБ
Datasheet MMBT3904W_R1_00001
pdf, 200 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
