MMBT8050C, 25V 350mW 100@100mA,1V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
12250 шт., срок 6-8 недель
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 3000 шт. —
2 руб.
от 6000 шт. —
1.69 руб.
100 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
25V 350mW 100@100mA,1V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@800mA, 80mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 132 КБ
Datasheet MMBT8050C
pdf, 132 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
