IKP15N60T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IKP15N60T производства INFINEON – это высокопроизводительный IGBT транзистор, предназначенный для монтажа в отверстия на печатной плате (THT). Он выделяется своей способностью управлять током коллектора до 15 А и поддерживать напряжение коллектор-эмиттер на уровне 600 В, обеспечивая при этом мощность до 130 Вт. Компактный корпус PG-TO220-3 гарантирует удобство установки в различных электронных устройствах. Используйте IKP15N60T для надежного управления мощностью в промышленных и бытовых применениях. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 15 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
| Мощность, Вт | 130 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Collector current | 15A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 87nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 130W |
| Pulsed collector current | 45A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | TRENCHSTOP™ |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IKP15N60TXKSA1
pdf, 510 КБ
Infineon Technologies IKP15N60T
pdf, 512 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
