NCE6008AS, 60V 8A 2.1W 20m ё@10V,8A 2.2V@250uA N Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
3075 шт., срок 6-8 недель
45 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
37 руб.
от 150 шт. —
34 руб.
от 500 шт. —
28.47 руб.
5 шт.
на сумму 225 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
60V 8A 2.1W 20mΩ@10V,8A 2.2V@250uA N Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 8A(Tc) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 2.1W(Tc) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20mО© @ 8A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.2V @ 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V, 8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 2.1W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet NCE6008AS
pdf, 394 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
