2SA1201Y, 120V 1W 80@100mA,5V 800mA PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
650 шт., срок 6-8 недель
13 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
11 руб.
от 500 шт. —
9.10 руб.
50 шт.
на сумму 650 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 800mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@100mA, 5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 120MHz |
| Вес, г | 21 |
Техническая документация
Datasheet 2SA1201Y
pdf, 1583 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
