L2N7002KN3T5G, 60V 320mA 250mW 1.8 ё@10V,500mA 2.5V@250uA N Channel SOT-883-3 MOSFETs ROHS

53650 шт., срок 6-8 недель
12 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт.10 руб.
от 500 шт.8.20 руб.
от 2500 шт.7.32 руб.
50 шт. на сумму 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8003507555
Артикул: L2N7002KN3T5G
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 320mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 250mW
Rds On - Drain-Source Resistance 1.8О© @ 500mA,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.5V @ 250uA
Вес, г 8

Техническая документация

Datasheet L2N7002KN3T5G
pdf, 224 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.