L2N7002KN3T5G, 60V 320mA 250mW 1.8 ё@10V,500mA 2.5V@250uA N Channel SOT-883-3 MOSFETs ROHS
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
53650 шт., срок 6-8 недель
12 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
10 руб.
от 500 шт. —
8.20 руб.
от 2500 шт. —
7.32 руб.
50 шт.
на сумму 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 320mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 250mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.8О© @ 500mA,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA |
Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet L2N7002KN3T5G
pdf, 224 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.