MMBTA56_R1_00001, 80V 225mW 100@100mA,1V 500mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
5100 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
7 руб.
от 2500 шт. —
5.30 руб.
от 3000 шт. —
4.31 руб.
50 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
80V 225mW 100@100mA,1V 500mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Transistor Type | PNP |
| Collector Current (Ic) | 500mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMBTA56_R1_00001
pdf, 393 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
