2N7002KW_R1_00001, 60V 115mA 200mW 3 ё@10V,500mA 2.5V@250uA N Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5150 шт., срок 6-8 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
5 руб.
от 2500 шт. —
3.50 руб.
от 3000 шт. —
3.17 руб.
50 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 mA |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-323-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 800 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Series: | NFET-035TA |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 274 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
