DTA115EETL, One PNP - Pre-Biased 150mW 20mA 50V SOT-723 Digital Transistors ROHS

Фото 1/3 DTA115EETL, One PNP - Pre-Biased 150mW 20mA 50V SOT-723 Digital Transistors ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2730 шт., срок 6-8 недель
40 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.33 руб.
от 150 шт.31 руб.
от 500 шт.28.88 руб.
5 шт. на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8003571797
Артикул: DTA115EETL
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP 50V 20MA

Технические параметры

Brand ROHM Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max -50 V
Configuration Single
Continuous Collector Current -100 mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min 82
DC Current Gain HFE Max 82
Factory Pack Quantity 3000
Manufacturer ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature +150 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case EMT-3
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases DTA115EE
Pd - Power Dissipation 150 mW
Peak DC Collector Current 100 mA
Product Category Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series DTA115EE
Subcategory Transistors
Transistor Polarity PNP
Typical Input Resistor 100 kOhms
Typical Resistor Ratio 1
Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.7 mm
Длина 1.6 mm
Другие названия товара № DTA115EE
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 82
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 82
Максимальная рабочая температура + 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DTA115EE
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 100 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 1
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок EMT-3
Ширина 0.8 mm
Collector Emitter Voltage Max PNP 50В
DC Current Gain hFE Min 82hFE
Power Dissipation 150мВт
Количество Выводов 3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора SOT-723
Линейка Продукции DTA115E Series
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер -50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic -100мА
Полярность Цифрового Транзистора Одиночный PNP
Резистор База-эмиттер R2 100кОм
Резистор На входе Базы R1 100кОм
Стиль Корпуса Транзистора SOT-723
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1322 КБ
Datasheet DTA115EETL
pdf, 1968 КБ
Datasheet DTA115EETL
pdf, 1322 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.