W9412G6KH-5, TSOP-66-10.2mm DDR SDRAM ROHS
![W9412G6KH-5, TSOP-66-10.2mm DDR SDRAM ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC029290779.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1725 шт., срок 6-8 недель
340 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
260 руб.
от 150 шт. —
212 руб.
5 шт.
на сумму 1 700 руб.
Плати частями
от 425 руб. × 4 платежа
от 425 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Memory ICs\DRAM
DRAM Product PortfolioWinbond DRAM Product Portfolio consists of Mobile RAM and Specialty DRAM for consumer, communication, peripheral, industrial, and automobile markets. Specialty DRAM features high performance and a high speed for a complete solution. SDR, DDR, DDR2, and DDR3 feature support for industrial and automotive applications with AEC-Q100, TS16949, ISO9001/14001, OHSAS18001 certificates. Winbond provides professional advice to KGD customers, including SiP package bonding and power/thermal, DRAM simulation, wafer level on speed test, and more.
Технические параметры
Access Time: | 700 ps |
Brand: | Winbond |
Data Bus Width: | 16 bit |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 432 |
Manufacturer: | Winbond |
Maximum Clock Frequency: | 200 MHz |
Maximum Operating Temperature: | +70 C |
Memory Size: | 128 Mbit |
Minimum Operating Temperature: | 0 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Organisation: | 8 M x 16 |
Package/Case: | TSOP-66 |
Packaging: | Tray |
Product Category: | DRAM |
Product Type: | DRAM |
Series: | W9412G6KH |
Subcategory: | Memory & Data Storage |
Supply Current - Max: | 65 mA |
Supply Voltage - Max: | 2.7 V |
Supply Voltage - Min: | 2.3 V |
Type: | SDRAM-DDR |
Техническая документация
Datasheet W9412G6KH-5
pdf, 1931 КБ
Datasheet W9412G6KH-5I
pdf, 1665 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.