IKW15T120, TO-247AC-3 IGBTs ROHS

IKW15T120, TO-247AC-3 IGBTs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
720 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.610 руб.
от 150 шт.587 руб.
5 шт. на сумму 3 600 руб.
Плати частями
от 900 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8003603572
Артикул: IKW15T120

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Транзистор БТИЗ, биполярный, 1,2кВ, 30А, 110Вт, PG-TO247-3

Технические параметры

Brand Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V
Configuration Single
Continuous Collector Current At 25 C 30 A
Factory Pack Quantity 240
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Manufacturer Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Part # Aliases IKW15T120FKSA1 IKW15T12XK SP000013938
Pd - Power Dissipation 110 W
Product Category IGBT Transistors
Product Type IGBT Transistors
Series TRENCHSTOP IGBT
Subcategory IGBTs
Technology Si
Tradename TRENCHSTOP
Continuous Collector Current Ic Max 30 A
Height 20.9 mm
Length 15.9 mm
RoHS Details
Width 5.3 mm
Вес, г 38

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов