2SC4226, 12V 150mW 150@7mA,3V 100mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
6000 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
7 руб.
от 2500 шт. —
5.10 руб.
от 3000 шт. —
4.42 руб.
50 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
12V 150mW 150@7mA,3V 100mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 70@7mA, 3V |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 4.5GHz |
| Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Datasheet 2SC4226
pdf, 531 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
