2SC3357-RE, 12V 1.2W 150@20mA,10V 100mA NPN SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2000 шт., срок 6-8 недель
17 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
14 руб.
от 150 шт. —
12 руб.
15 шт.
на сумму 255 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
12V 1.2W 150@20mA,10V 100mA NPN SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 12V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 150@20mA, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 1.2W |
| Transition Frequency (fT) | 6.5GHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 364 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
