EMD22T2R, 80@10mA,5V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-563 Digital Transistors ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2550 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
7.50 руб.
от 2500 шт. —
7.20 руб.
50 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
80@10mA,5V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-563 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@2.5mA, 250uA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 80 |
| DC Current Gain hFE Max: | 80 |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package/Case: | EMT-6 |
| Part # Aliases: | EMD22 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN, PNP |
| Typical Input Resistor: | 4.7 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 10 |
Техническая документация
Datasheet EMD22T2R
pdf, 1238 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
