BC817-40-AU_R1_000A1, Package/EnclosureSOT-23 Power dissipation Pd330mW Transistor typeNPN Collector-emitter maximum voltage VCEO45V Collect

BC817-40-AU_R1_000A1, Package/EnclosureSOT-23 Power dissipation Pd330mW Transistor typeNPN Collector-emitter maximum voltage VCEO45V Collect
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
514 шт., срок 6-8 недель
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
от 100 шт.6 руб.
23 шт. на сумму 207 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8003612680
Артикул: BC817-40-AU_R1_000A1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Manufacturer PANJIT International
Package / Case SOT-23
Packaging Tape и Reel(TR)
Brand: Panjit
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 250
DC Current Gain hFE Max: 600
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Panjit
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 330 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Qualification: AEC-Q101
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 493 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.