EM6K6T2R, 20V 300mA 800m ё@2.5V,300mA 150mW 1V@1mA 2 N-Channel SOT-563 MOSFETs ROHS
![EM6K6T2R, 20V 300mA 800m ё@2.5V,300mA 150mW 1V@1mA 2 N-Channel SOT-563 MOSFETs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/506/DOC013506505.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8915 шт., срок 6-8 недель
19 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
17 руб.
от 150 шт. —
16 руб.
от 500 шт. —
14.36 руб.
15 шт.
на сумму 285 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand | ROHM Semiconductor |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Dual |
Factory Pack Quantity | 8000 |
Fall Time | 10 ns |
Id - Continuous Drain Current | 300 mA |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number Of Channels | 2 Channel |
Package / Case | SOT-563-6 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Part # Aliases | EM6K6 |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Product | MOSFET Small Signal |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1 Ohms |
Rise Time | 10 ns |
Series | EM6K6 |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 2 N-Channel MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 4 V |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
Вес, г | 122.2 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.