PDTD123TT,215, Package/EnclosureSOT-23 Power dissipation Pd250mW Transistor typeNPN Collector-emitter maximum voltage VCEO50V Collector cont
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14820 шт., срок 6-8 недель
9 руб.
Кратность заказа 570 шт.
от 1140 шт. —
7 руб.
от 1710 шт. —
5.70 руб.
от 3420 шт. —
4.99 руб.
570 шт.
на сумму 5 130 руб.
Плати частями
от 1 284 руб. × 4 платежа
от 1 284 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Input Resistor | 2.2 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | None |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
