2N7002BK,215, 60V 350mA 1.6 ё@10V,500mA 370mW 2.1V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
79200 шт., срок 6-8 недель
5 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
4 руб.
от 2500 шт. —
3.40 руб.
от 3000 шт. —
3 руб.
50 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 245мА, 1,2Вт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 350mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 370mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 500mA,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.1V @ 250uA |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 440 mW |
| Qg - заряд затвора | 0.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 350 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 440 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 728 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N7002BK,215
pdf, 732 КБ
Datasheet 2N7002BK,215
pdf, 167 КБ
Datasheet 2N7002BK.215
pdf, 722 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
