BSS138PW,115, 60V 320mA 1.6 ё@10V,300mA 1.5V@250uA N Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS
![Фото 1/7 BSS138PW,115, 60V 320mA 1.6 ё@10V,300mA 1.5V@250uA N Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757513.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/729/DOC017729010.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/860/DOC043860515.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/452/DOC004452611.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/556/DOC016556854.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/028/DOC023028897.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/028/DOC023028905.jpg)
21050 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
7 руб.
от 500 шт. —
5.40 руб.
от 3000 шт. —
4.65 руб.
50 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,32А, 260мВт, SOT323 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
кол-во в упаковке | 3000 |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 320 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 310 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-323 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.72 nC @ 4.5 V |
Width | 1.35mm |
Brand: | Nexperia |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Id - Continuous Drain Current: | 320 mA |
Manufacturer: | Nexperia |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-323-3 |
Part # Aliases: | 934064987115 |
Pd - Power Dissipation: | 310 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 720 pC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.