BSS138P,215, 60V 360mA 1.6 ё@10V,300mA 1.5V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
56500 шт., срок 6-8 недель
6 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
5 руб.
от 2500 шт. —
4 руб.
от 3000 шт. —
3.49 руб.
50 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSS138P,215 от производителя NEXPERIA отличается компактным монтажом SMD и предназначен для работы в цепях с напряжением сток-исток до 60 В и током стока до 0,36 А. Этот элемент обеспечивает мощность до 0,35 Вт и имеет сопротивление в открытом состоянии всего 1,6 Ом, что делает его отличным выбором для различных электронных устройств. Корпус SOT23 гарантирует легкость интеграции в печатные платы. Транзистор BSS138P215 идеально подходит для области применения, требующей высокой надежности и эффективности при минимальных затратах места. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.36 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 0.35 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 1.6 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 360mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 300mA,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 250uA |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 360 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 420 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.72 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Мощность, Вт | 0.35 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 1.6 |
| Тип | полевой |
| Ток стока, А | 0.36 |
| Вес, г | 9 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
