2N7002BKW,115, 60V 310mA 1.6 ё@10V,500mA 275mW 2.1V@250uA N Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
76650 шт., срок 6-8 недель
8 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт. —
7 руб.
от 500 шт. —
5.50 руб.
от 3000 шт. —
4.54 руб.
50 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 310мА, 0.88Вт
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 7 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 310 mA |
| Manufacturer | Nexperia |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-323-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 330 mW(1/3 W) |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 0.5 nC |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms |
| Rise Time | 6 ns |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Type | Enhancement |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.1 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 310 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Power Dissipation | 330 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.35mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 310mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6Ω@10V, 500mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@10V |
| Power Dissipation (Pd) | 275mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 600pC@4.5V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
