BSS123,215, 100V 150mA 250mW 6 ё@10V,120mA 2.8V@1mA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

12550 шт., срок 6-8 недель

10 руб.

Кратность заказа 50 шт.

от 150 шт. — 8 руб.

от 500 шт. — 6.80 руб.

от 3000 шт. — 5.89 руб.

50 шт. на сумму 500 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8003790316

Артикул: BSS123,215

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Описание Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В, 150мА, 250мВт

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	150mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	250mW
Rds On - Drain-Source Resistance	6О© @ 120mA,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100V
Vgs - Gate-Source Voltage	2.8V @ 1mA
кол-во в упаковке	3000
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	150 mA
Maximum Drain Source Resistance	6 Ω
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.8V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	250 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	1.4mm