BSS138BK,215, 60V 360mA 1.6 ё@10V,350mA 1.6V@250uA N Channel TO-236AB MOSFETs ROHS

Фото 1/4 BSS138BK,215, 60V 360mA 1.6 ё@10V,350mA 1.6V@250uA N Channel TO-236AB MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15000 шт., срок 6-8 недель
9 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 150 шт.7 руб.
от 500 шт.6 руб.
от 3000 шт.5.11 руб.
50 шт. на сумму 450 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8003790781
Артикул: BSS138BK,215
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 360mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 350mW
Rds On - Drain-Source Resistance 1.6О© @ 350mA,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 1.6V @ 250uA
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 360 mA
Maximum Drain Source Resistance 1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1.6V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 420 mW
Minimum Gate Threshold Voltage 0.48V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
Width 1.4mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 854 КБ
Datasheet BSS138BK,215
pdf, 1581 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.