BSS138BKS,115, 60V 320mA 1.6@10V,320mA 445mW 1.6V@250uA N Channel SOT-363 MOSFETs ROHS
![Фото 1/3 BSS138BKS,115, 60V 320mA 1.6@10V,320mA 445mW 1.6V@250uA N Channel SOT-363 MOSFETs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728775.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/433/DOC004433314.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/557/DOC006557532.jpg)
9170 шт., срок 6-8 недель
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
12 руб.
от 300 шт. —
10 руб.
от 3000 шт. —
8.85 руб.
20 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Automotive MOSFETs
Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.
Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.
Технические параметры
кол-во в упаковке | 3000 |
Brand: | Nexperia |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Id - Continuous Drain Current: | 320 mA |
Manufacturer: | Nexperia |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | TSSOP-6 |
Part # Aliases: | 934065728115 |
Pd - Power Dissipation: | 280 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 600 pC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
Series: | BSS138BKS |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 480 mV |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1400 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.