AOK40B60D1, Транзистор: IGBT, 600В, 40А, 111Вт, TO247, Eвыкл: 0,3мДж
![AOK40B60D1, Транзистор: IGBT, 600В, 40А, 111Вт, TO247, Eвыкл: 0,3мДж](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC034769643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 180 руб.
от 3 шт. —
1 040 руб.
от 10 шт. —
814 руб.
от 80 шт. —
677.68 руб.
1 шт.
на сумму 1 180 руб.
Плати частями
от 295 руб. × 4 платежа
от 295 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
Case | TO247 |
Collector current | 40A |
Collector-emitter saturation voltage | 1.85V |
Collector-emitter voltage | 600V |
Gate charge | 45nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Mounting | THT |
Power dissipation | 111W |
Pulsed collector current | 140A |
Turn-off switching energy | 0.3mJ |
Turn-off time | 102ns |
Turn-on switching energy | 1.55mJ |
Turn-on time | 53ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6.093 |
Техническая документация
Datasheet AOK40B60D1
pdf, 711 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов