IXYH50N120C3D1, Транзистор БТИЗ, 1200В 90A 625Вт TO247AD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 100 руб.
от 3 шт. —
3 300 руб.
1 шт.
на сумму 4 100 руб.
Плати частями
от 1 025 руб. × 4 платежа
от 1 025 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор БТИЗ, 1200В 90A 625Вт TO247AD Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 50A |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Gate charge | 142nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
Power dissipation | 625W |
Pulsed collector current | 210A |
Technology | GenX3™, Planar, XPT™ |
Turn-off time | 0.22µs |
Turn-on time | 96ns |
Type of transistor | IGBT |
Collector Current (Ic) | 90A |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV |
Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 195ns |
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 4V@15V, 50A |
Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 625W |
Pulsed Collector Current (Icm) | 210A |
Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 142nC |
Turn?off Delay Time (Td(off)) | 133ns |
Turn?off Switching Loss (Eoff) | 1mJ |
Turn?on Delay Time (Td(on)) | 28ns |
Turn?on Switching Loss (Eon) | 3mJ |
Type | - |
Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 180 КБ
Datasheet IXYH50N120C3D1
pdf, 179 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов