HGTP3N60A4D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
770 руб.
от 2 шт. —
650 руб.
от 5 шт. —
573 руб.
от 10 шт. —
533.75 руб.
1 шт.
на сумму 770 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A, 600V, N-Channel, TO-220AB
Технические параметры
| Вес, г | 2.7 |
Техническая документация
Datasheet HGT1S3N60A4DS, HGTP3N60A4D
pdf, 115 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
