FDY101PZ

Фото 1/2 FDY101PZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.89 руб.
от 10 шт.71 руб.
от 100 шт.52.88 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8004055993

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -0,15А, 0,625Вт, SOT523 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Continuous Drain Current 0.15(A)
Drain-Source On-Volt 20(V)
Gate-Source Voltage (Max) '±8(V)
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Package Type SOT-523FL
Packaging Tape and Reel
Pin Count 3
Polarity P
Power Dissipation 0.625(W)
Rad Hardened No
Type Power MOSFET
Automotive No
Channel Type P
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Flat
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.15
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 8000@4.5V
Maximum Drain Source Voltage (V) 20
Maximum Gate Source Voltage (V) ±8
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 625
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Number of Elements per Chip 1
Part Status Active
PCB changed 3
PPAP No
Process Technology TMOS
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-523FL
Typical Fall Time (ns) 1
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 1@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 100@10V
Typical Rise Time (ns) 13
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 8
Typical Turn-On Delay Time (ns) 6
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 243 КБ
Документация
pdf, 243 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов