NTE3322, Транзистор: IGBT, 900В, 60А, 170Вт, TO3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 6 недель
8 860 руб.
от 3 шт. —
7 140 руб.
1 шт.
на сумму 8 860 руб.
Плати частями
от 2 215 руб. × 4 платежа
от 2 215 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, 900В, 60А, 170Вт, TO3P Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Collector current | 60A |
| Collector-emitter voltage | 900V |
| Gate-emitter voltage | ±25V |
| Manufacturer | NTE Electronics |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 170W |
| Pulsed collector current | 120A |
| Turn-off time | 0.6µs |
| Turn-on time | 460ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 11.65 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 68 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
