IXYH50N65C3H1, Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 50А, 600Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 970 руб.
от 3 шт. —
2 360 руб.
от 10 шт. —
1 900 руб.
от 30 шт. —
1 665.70 руб.
1 шт.
на сумму 2 970 руб.
Плати частями
от 744 руб. × 4 платежа
от 744 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 50А, 600Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 50A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Gate charge | 80nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 600W |
| Pulsed collector current | 250A |
| Technology | GenX3™, Planar, XPT™ |
| Turn-off time | 142ns |
| Turn-on time | 56ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 252 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
