IKW20N60T, TO-247AC-3 IGBTs ROHS
![Фото 1/3 IKW20N60T, TO-247AC-3 IGBTs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/707/DOC021707252.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
360 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
240 руб.
от 150 шт. —
223 руб.
от 500 шт. —
215.49 руб.
5 шт.
на сумму 1 800 руб.
Плати частями
от 450 руб. × 4 платежа
от 450 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 20A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 166 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 20.95 mm |
Длина | 15.9 mm |
Другие названия товара № | IKW20N60TFKSA1 IKW2N6TXK SP000054886 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | TRENCHSTOP IGBT |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Ширина | 5.3 mm |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 41 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 166 W |
Package Type | PG-TO247-3 |
Pin Count | 3 |
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current Ic Max | 40 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Height | 20.95 mm |
Length | 15.9 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TXK SP000054886 |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | IKW20N60 |
Technology | Si |
Unit Weight | 1.340411 oz |
Width | 5.3 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKW20N60T
pdf, 435 КБ
Datasheet IKW20N60T (Infineon)
pdf, 504 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов