IXBA16N170AHV, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO263
![Фото 1/2 IXBA16N170AHV, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO263](https://static.chipdip.ru/lib/177/DOC036177249.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955324.jpg)
8 090 руб.
от 3 шт. —
6 560 руб.
1 шт.
на сумму 8 090 руб.
Плати частями
от 2 024 руб. × 4 платежа
от 2 024 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO263 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Case | TO263 |
Collector current | 10A |
Collector-emitter voltage | 1.7kV |
Features of semiconductor devices | high voltage |
Gate charge | 65nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
Power dissipation | 150W |
Pulsed collector current | 40A |
Technology | BiMOSFET™ |
Turn-off time | 370ns |
Turn-on time | 43ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 1.53 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 171 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов