IXXH40N65B4, Транзистор: IGBT, GenX4™, 650В, 40А, 455Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 670 руб.
от 3 шт. —
1 470 руб.
от 10 шт. —
1 140 руб.
от 30 шт. —
933.90 руб.
1 шт.
на сумму 1 670 руб.
Плати частями
от 419 руб. × 4 платежа
от 419 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, GenX4™, 650В, 40А, 455Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 40A |
Collector-emitter voltage | 650V |
Gate charge | 66nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
Power dissipation | 455W |
Pulsed collector current | 225A |
Technology | GenX4™, Trench, XPT™ |
Turn-off time | 252ns |
Turn-on time | 67ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 6.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 255 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов